雷火竞技-外媒：三星支持的垂直芯片研发项目旨在将HBM的I/O性能提升10倍

只管JEDEC估计将放宽HBM的高度限定，将HBM4的高度上限从775微米（µm）提高到约900微米（µm），但业界仍于不停摸索冲破传统HBM架构布局限定的要领。

据ET News报导，三星电子将来技能研究规划下的“垂直芯片”进步前辈封装项目已经取患上显著进展。值患上留意的是，该陈诉指出，这类要领据称可将输入/输出 (I/O) 密度提高 10 倍，并将带宽提高约 4 倍。

ET News 报导称，由 KAIST 传授 Kwon Ji-min 担当首席研究员的该项目取患了一项主要的学术里程碑，其关在垂直芯片架构的论文已经被 2026 年 IEEE 超年夜范围集成电路技能与电路钻研会接管，将在 6 月于 IEEE 上发表。该钻研会是半导体器件及电路集成范畴最负盛名的全世界集会之一。

报导注释说，该项目的重要冲破之一于在其垂直芯片（V-die）技能，该技能经由过程将芯片直立成 90 度角来从头定向芯片，就像书架上的书同样。

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